FF900R12IE4PBOSA1

MODULE IGBT PRIME2-1
FF900R12IE4PBOSA1 P1
FF900R12IE4PBOSA1 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Infineon Technologies ~ FF900R12IE4PBOSA1

Número de pieza
FF900R12IE4PBOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MODULE IGBT PRIME2-1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- FF900R12IE4PBOSA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza FF900R12IE4PBOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 900A
Potencia - Max 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 900A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

Productos relacionados

Todos los productos