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| Número de pieza | BUZ30AHXKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BUZ30A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB | 0 | Detalles | |
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BUZ30A E3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | - | 0 | Detalles |
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BUZ30A H | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 | - | 458 | Detalles |
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BUZ30AH3045AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | - | 0 | Detalles |
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BUZ30AHXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 | - | 27327 | Detalles |
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BUZ31 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB | 0 | Detalles | |
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BUZ31 E3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | 0 | Detalles | |
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BUZ31 E3046 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 | 0 | Detalles | |
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BUZ31 H3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | 1000 | Detalles | |
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BUZ31H3046XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 | 0 | Detalles | |
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BUZ31HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 | 0 | Detalles | |
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BUZ31L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB | 0 | Detalles |