BUZ30A E3045A

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
BUZ30A E3045A P1
BUZ30A E3045A P1
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Infineon Technologies ~ BUZ30A E3045A

Número de pieza
BUZ30A E3045A
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BUZ30A E3045A PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza BUZ30A E3045A
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 21A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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