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| Número de pieza | BSS223PW L6327 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 390mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.5µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.62nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT323-3 |
| Paquete / caja | SC-70, SOT-323 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | 0 | Detalles | |
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BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | 15000 | Detalles | |
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BSS225 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | 0 | Detalles | |
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BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | 2000 | Detalles | |
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BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | 0 | Detalles | |
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BSS225L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | 0 | Detalles |