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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSS223PW L6327 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 390mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.5µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.62nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | 15000 | Einzelheiten | |
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BSS225 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | 2000 | Einzelheiten | |
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BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS225L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | 0 | Einzelheiten |