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| Número de pieza | BSP297 E6327 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 660mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.1nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 357pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
| Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 | 4000 | Detalles | |
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BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 | 3000 | Detalles | |
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BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 | 4000 | Detalles | |
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BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | Detalles | |
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BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | Detalles | |
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BSP254A,126 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 | 0 | Detalles | |
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BSP295E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP295E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | 14000 | Detalles | |
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BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP296 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | 0 | Detalles | |
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BSP296E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 | 0 | Detalles |