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Número de pieza | BSP225,115 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 225mA (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 1.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 200mA, 10V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |