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Número de pieza | BSG0810NDIATMA1 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A, 39A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V |
Potencia - Max | 2.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TISON-8 |