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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSG0810NDIATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A, 39A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V |
| Leistung max | 2.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TISON-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSG0810NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON | 0 | Einzelheiten | |
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BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON | 0 | Einzelheiten | |
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BSG0812NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TISON | - | 9055 | Einzelheiten |
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BSG0813NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON | 0 | Einzelheiten |