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| Número de pieza | IRFNL210BTA_FP001 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92L |
| Paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFNL210BTA-FP001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L | - | 18730 | Detalles |
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IRFNL210BTA_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L | 0 | Detalles |