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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRFNL210BTA_FP001 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92L |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRFNL210BTA-FP001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L | - | 18730 | Einzelheiten |
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IRFNL210BTA_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L | 0 | Einzelheiten |