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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | VS-GB400AH120U |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 550A |
| Leistung max | 2841W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 400A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 33.7nF @ 30V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (5) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE MTP SWITCH | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - ECONO IGBT | - | 160 | Einzelheiten |
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VS-GB150LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |