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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | VS-GB100TS60NPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 108A |
| Leistung max | 390W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-Pak |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - ECONO IGBT | - | 160 | Einzelheiten |
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VS-GB150LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GB150TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |