SIZ704DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
SIZ704DT-T1-GE3 P1
SIZ704DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ704DT-T1-GE3

Artikelnummer
SIZ704DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer SIZ704DT-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A, 16A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Leistung max 20W, 30W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-PowerPair™
Lieferantengerätepaket 6-PowerPair™

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