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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIZ700DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
| Leistung max | 2.36W, 2.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-PowerPair™ |
| Lieferantengerätepaket | 6-PowerPair™ |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIZ700DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIZ702DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | - | 0 | Einzelheiten |
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SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |