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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIA950DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 190V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 950mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 100V |
| Leistung max | 7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |