TK35A65W,S5X

MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
TK35A65W,S5X P1
TK35A65W,S5X P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK35A65W,S5X

Artikelnummer
TK35A65W,S5X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TK35A65W,S5X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 50W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 17.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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