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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK35E08N1,S1X |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 72W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TK35E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 55A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
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TK35E10K3(S1SS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |