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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | ZDS020N60TB |
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Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 630mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |