Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SH8M13GZETB |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | - |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A, 7A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Leistung max | 2W |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP |