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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SH8M2TB1 |
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Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
Leistung max | 2W |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP |