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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | RSS110N03TB |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
Vgs (Max) | 20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.7 mOhm @ 11A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |