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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RSS100N03FRATB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13.3 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1070pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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RSS100N03FRATB | Rohm Semiconductor | 4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS | - | 193280 | Einzelheiten |
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RSS100N03FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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RSS100N03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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RSS105N03FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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RSS105N03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten |