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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSM250D17P2E004 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSM250D17P2E004 | Rohm Semiconductor | HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF | - | 71 | Einzelheiten |
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BSM25GD120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 | - | 719 | Einzelheiten |
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BSM25GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 | - | 719 | Einzelheiten |
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BSM25GP120BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 | - | 600 | Einzelheiten |