BSM25GD120DN2BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM25GD120DN2BOSA1 P1
BSM25GD120DN2BOSA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BSM25GD120DN2BOSA1

Artikelnummer
BSM25GD120DN2BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BSM25GD120DN2BOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer BSM25GD120DN2BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 35A
Leistung max 200W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 800µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

Verwandte Produkte

Alle Produkte