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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDB9406L-F085 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 176W (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FDB9403-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | - | 32982 | Einzelheiten |
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FDB9403L-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A | - | 32830 | Einzelheiten |
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FDB9403L_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A | - | 3200 | Einzelheiten |
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FDB9403_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | 800 | Einzelheiten | |
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FDB9403_SN00268 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V | - | 7069 | Einzelheiten |
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FDB9406-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | - | 42156 | Einzelheiten |
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FDB9406L-F085 | ON Semiconductor | N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | - | 41310 | Einzelheiten |
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FDB9406_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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FDB9409-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | - | 65020 | Einzelheiten |
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FDB9409L-F085 | ON Semiconductor | NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM | - | 65765 | Einzelheiten |
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FDB9409_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | - | 0 | Einzelheiten |