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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB9406_F085

Artikelnummer	FDB9406_F085
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	138nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7710pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	176W (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 80A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
FDB9403-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB	-	32982	Einzelheiten
FDB9403L-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A	-	32830	Einzelheiten
FDB9403L_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A	-	3200	Einzelheiten
FDB9403_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB		800	Einzelheiten
FDB9403_SN00268	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V	-	7069	Einzelheiten
FDB9406-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB	-	42156	Einzelheiten
FDB9406L-F085	ON Semiconductor	N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET	-	41310	Einzelheiten
FDB9406_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB	-	0	Einzelheiten
FDB9409-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	-	65020	Einzelheiten
FDB9409L-F085	ON Semiconductor	NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM	-	65765	Einzelheiten
FDB9409_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	-	0	Einzelheiten
FDB9503L-F085	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK	-	27132	Einzelheiten