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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PHT6NQ10T,135 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |