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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT35GT120JU3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 55A |
| Leistung max | 260W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.53nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT35DL120HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
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APT35GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | - | 30 | Einzelheiten |
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APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO247 | - | 82 | Einzelheiten |
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APT35GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | - | 93 | Einzelheiten |
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APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | - | 75 | Einzelheiten |
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APT35GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | - | 30 | Einzelheiten |
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APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | - | 27 | Einzelheiten |
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APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | - | 14 | Einzelheiten |
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APT35GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT35GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT35GT120JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT35SM70B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 700V TO247 | - | 16634 | Einzelheiten |