Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT35GA90BD15 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 900V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 63A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 105A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 18A |
| Leistung max | 290W |
| Energie wechseln | 642µJ (on), 382µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 84nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 12ns/104ns |
| Testbedingung | 600V, 18A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT35DL120HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
 |
APT35GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | - | 30 | Einzelheiten |
 |
APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO247 | - | 82 | Einzelheiten |
 |
APT35GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | - | 93 | Einzelheiten |
 |
APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | - | 75 | Einzelheiten |
 |
APT35GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | - | 30 | Einzelheiten |
 |
APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | - | 27 | Einzelheiten |
 |
APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | - | 14 | Einzelheiten |
 |
APT35GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT35GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT35GT120JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT35SM70B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 700V TO247 | - | 16634 | Einzelheiten |