Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 4Gb (128M x 32) |
| Taktfrequenz | 1600MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 200-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | - | 12757 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | - | 12503 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 4694 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 6796 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 5167 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 7480 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 5669 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 5710 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 6515 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 6796 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 7170 | Einzelheiten |
|
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 7480 | Einzelheiten |