MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

IC DRAM 4G 1866MHZ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR P1
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

Artikelnummer
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 4G 1866MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR PDF online browsing
Familie
Speicher
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Artikelnummer MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 4Gb (128M x 32)
Taktfrequenz 1866MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.1V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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