IRFHM8334TRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
IRFHM8334TRPBF P1
IRFHM8334TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFHM8334TRPBF

Artikelnummer
IRFHM8334TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFHM8334TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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