IRF7910PBF

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
IRF7910PBF P1
IRF7910PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7910PBF

Artikelnummer
IRF7910PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF7910PBF.pdf IRF7910PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer IRF7910PBF
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 6V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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