IRF7901D1TR

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TR P1
IRF7901D1TR P1
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Infineon Technologies ~ IRF7901D1TR

Artikelnummer
IRF7901D1TR
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF7901D1TR.pdf IRF7901D1TR PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer IRF7901D1TR
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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