IRF7799L2TRPBF

MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
IRF7799L2TRPBF P1
IRF7799L2TRPBF P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRF7799L2TRPBF

Artikelnummer
IRF7799L2TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF7799L2TRPBF.pdf IRF7799L2TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IRF7799L2TRPBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 375A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6714pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 21A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET L8
Paket / Fall DirectFET™ Isometric L8

Verwandte Produkte

Alle Produkte