IRF7701

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
IRF7701 P1
IRF7701 P1
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Infineon Technologies ~ IRF7701

Artikelnummer
IRF7701
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF7701
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5050pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 10A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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