IRF7739L2TRPBF

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8
IRF7739L2TRPBF P1
IRF7739L2TRPBF P2
IRF7739L2TRPBF P1
IRF7739L2TRPBF P2
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Infineon Technologies ~ IRF7739L2TRPBF

Artikelnummer
IRF7739L2TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF7739L2TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 46A (Ta), 375A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11880pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 160A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET L8
Paket / Fall DirectFET™ Isometric L8

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