IRF6714MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRF6714MTRPBF P1
IRF6714MTRPBF P2
IRF6714MTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF6714MTRPBF

Artikelnummer
IRF6714MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF6714MTRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 29A (Ta), 166A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890pF @ 13V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 29A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MX
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MX

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