Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRF6710S2TRPBF |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 13V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 12A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET S1 |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric S1 |