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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | BSC046N02KS G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |