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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSC042N03S G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 95A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3660pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | - | 48055 | Einzelheiten |
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BSC009NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND | 5000 | Einzelheiten | |
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BSC009NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 | - | 67757 | Einzelheiten |
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BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | - | 56873 | Einzelheiten |
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BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 20000 | Einzelheiten |
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BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 60854 | Einzelheiten |
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BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | 15000 | Einzelheiten | |
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BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 48933 | Einzelheiten |
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BSC010NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 35000 | Einzelheiten |
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BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 87725 | Einzelheiten |