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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQA62N25C

Artikelnummer	FQA62N25C
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	62A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6280pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	298W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 31A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3PN
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
FQA10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P		0	Einzelheiten
FQA10N80	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P		0	Einzelheiten
FQA10N80C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P		0	Einzelheiten
FQA10N80C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	-	16383	Einzelheiten
FQA10N80C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	-	50	Einzelheiten
FQA10N80_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P		0	Einzelheiten
FQA11N90	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P		0	Einzelheiten
FQA11N90-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	-	13278	Einzelheiten
FQA11N90C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P		0	Einzelheiten
FQA11N90C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	-	13894	Einzelheiten
FQA11N90C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	-	58	Einzelheiten
FQA11N90_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	-	0	Einzelheiten