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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FQA10N60C |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 192W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQA10N60C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P | 0 | Einzelheiten | |
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FQA10N80 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P | 0 | Einzelheiten | |
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FQA10N80C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | 0 | Einzelheiten | |
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FQA10N80C-F109 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | - | 16383 | Einzelheiten |
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FQA10N80C_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | - | 50 | Einzelheiten |
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FQA10N80_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P | 0 | Einzelheiten | |
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FQA11N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | 0 | Einzelheiten | |
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FQA11N90-F109 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | - | 13278 | Einzelheiten |
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FQA11N90C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | 0 | Einzelheiten | |
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FQA11N90C-F109 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | - | 13894 | Einzelheiten |
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FQA11N90C_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | - | 58 | Einzelheiten |
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FQA11N90_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | - | 0 | Einzelheiten |