FDME910PZT

MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
FDME910PZT P1
FDME910PZT P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDME910PZT

Artikelnummer
FDME910PZT
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDME910PZT
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 8A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paket / Fall 6-PowerUFDFN

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