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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDC30N20DZ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC30N20DZ | Fairchild/ON Semiconductor | PT8 30/20 WITH ZENER IN SSOT6 DU | - | 0 | Einzelheiten |
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FDC3512 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6 | - | 51000 | Einzelheiten |
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FDC3512_F095 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT | - | 0 | Einzelheiten |
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FDC3535 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT | - | 0 | Einzelheiten |
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FDC3601N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDC3612 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6 | - | 9000 | Einzelheiten |
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FDC3612_F095 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT | - | 0 | Einzelheiten |
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FDC3616N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6 | 0 | Einzelheiten | |
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FDC365P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT | - | 0 | Einzelheiten |
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FDC37B727-NS | Microchip Technology | IC CTRLR SUPER I/O ENH 128-QFP | 0 | Einzelheiten | |
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FDC37B782-NS | Microchip Technology | IC CTRLR ENHNCD SUPER I/O 128QFP | - | 0 | Einzelheiten |
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FDC37B787-NS | Microchip Technology | IC CTRLR SUPER I/O ENH 128-QFP | 0 | Einzelheiten |