FDC3535

MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
FDC3535 P1
FDC3535 P2
FDC3535 P1
FDC3535 P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC3535

Artikelnummer
FDC3535
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDC3535
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.6W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 183 mOhm @ 2.1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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