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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | CJ3139KDW-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 660mA (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 16V |
| Leistung max | 150mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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CJ3139KDW-G | Comchip Technology | MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363 | 0 | Einzelheiten |