CJ3139KDW-G

MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
CJ3139KDW-G P1
CJ3139KDW-G P1
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Comchip Technology ~ CJ3139KDW-G

Número de pieza
CJ3139KDW-G
Fabricante
Comchip Technology
Descripción
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CJ3139KDW-G.pdf CJ3139KDW-G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza CJ3139KDW-G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 16V
Potencia - Max 150mW
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-363

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