Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SISS70DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 125V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta), 31A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 62.5V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PowerPAK® 1212-8S |
| Gói / Trường hợp | PowerPAK® 1212-8S |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SISS70DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 125V | - | 102576 | Chi tiết |
|
SISS71DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8 | - | 3000 | Chi tiết |
|
SISS72DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V | - | 80997 | Chi tiết |